3-A የተመሳሰለ ደረጃ-ታች የቮልቴጅ መለወጫ የተቀናጀ ወረዳ IC LMR33630BQRNXRQ1

1.

የባክ መቀየሪያ ተግባር የግቤት ቮልቴጅን በመቀነስ ከጭነቱ ጋር ማዛመድ ነው።የባክ መለወጫ መሰረታዊ ቶፖሎጂ በእረፍት ጊዜ ጥቅም ላይ የሚውለው ዋና ማብሪያና ማጥፊያን ያካትታል።MOSFET ከቀጣይነት ዳዮድ ጋር በትይዩ ሲገናኝ የተመሳሰለ ባክ መቀየሪያ ይባላል።ዝቅተኛ ጎን MOSFET ከ Schottky diode ጋር ባለው ትይዩ ግንኙነት ምክንያት የዚህ የባክ መቀየሪያ አቀማመጥ ውጤታማነት ካለፉት የባክ ለዋጮች የበለጠ ነው።ምስል 1 ዛሬ በዴስክቶፕ እና በማስታወሻ ደብተር ኮምፒተሮች ውስጥ በጣም የተለመደው አቀማመጥ የሆነውን የተመሳሰለ የባክ መለወጫ ንድፍ ያሳያል።

2.

መሰረታዊ ስሌት ዘዴ

ትራንዚስተር መቀየሪያዎች Q1 እና Q2 ሁለቱም N-channel power MOSFETs ናቸው።እነዚህ ሁለት MOSFETs ብዙውን ጊዜ ከፍተኛ-ጎን ወይም ዝቅተኛ-ጎን መቀየሪያዎች ተብለው ይጠራሉ እና ዝቅተኛ-ጎን MOSFET ከSchottky diode ጋር በትይዩ ይገናኛል።እነዚህ ሁለት MOSFETs እና diode የመቀየሪያውን ዋና የኃይል ቻናል ይመሰርታሉ።በእነዚህ ክፍሎች ውስጥ ያሉት ኪሳራዎች የጠቅላላ ኪሳራዎች አስፈላጊ አካል ናቸው.የውጤቱ LC ማጣሪያ መጠን በሞገድ እና በሞገድ ቮልቴጅ ሊወሰን ይችላል.በእያንዳንዱ ሁኔታ ጥቅም ላይ በሚውለው ልዩ PWM ላይ በመመስረት, የግብረመልስ ተከላካይ አውታረ መረቦች R1 እና R2 ሊመረጡ ይችላሉ እና አንዳንድ መሳሪያዎች የውጤት ቮልቴጅን ለማዘጋጀት አመክንዮአዊ ቅንብር ተግባር አላቸው.PWM በሃይል ደረጃ እና በተፈለገው ድግግሞሽ መጠን በተሰራው አፈፃፀም መሰረት መመረጥ አለበት, ይህም ማለት ድግግሞሽ ሲጨምር, MOSFET በሮች ለመንዳት በቂ የማሽከርከር ችሎታ መኖር አለበት, ይህም የሚፈለገው አነስተኛውን የአካላት ብዛት ያካትታል. ለመደበኛ የተመሳሰለ ባክ መቀየሪያ።

ንድፍ አውጪው በመጀመሪያ መስፈርቶቹን ማለትም የ V ግብዓት ፣ የ V ውፅዓት እና I ውፅዓት እንዲሁም የአሠራር የሙቀት መስፈርቶችን ማረጋገጥ አለበት።እነዚህ መሰረታዊ መስፈርቶች ከተገኙት የኃይል ፍሰት, ድግግሞሽ እና አካላዊ መጠን መስፈርቶች ጋር ይጣመራሉ.

3.

የባክ-ማሳደግ ቶፖሎጂዎች ሚና

Buck-boost topologies ተግባራዊ ናቸው ምክንያቱም የግቤት ቮልቴጁ ከ 50 ዋ በላይ የውጤት ኃይል ሲፈልግ የግቤት ቮልቴቱ ትንሽ፣ ትልቅ ወይም ተመሳሳይ ሊሆን ስለሚችል። ) ጥቂት ክፍሎችን ስለሚጠቀም የበለጠ ወጪ ቆጣቢ አማራጭ ነው።

የ Buck-boost መቀየሪያዎች የሚሠሩት በባክ ሞድ ውስጥ የግቤት ቮልቴጁ ከውጤት ቮልቴጁ ሲበልጥ እና በማሳደግ ሁነታ ላይ የግቤት ቮልቴጁ ከቮልቴጅ ያነሰ በሚሆንበት ጊዜ ነው.መቀየሪያው የግቤት ቮልቴጁ በውጤት የቮልቴጅ ክልል ውስጥ በሚገኝበት የማስተላለፊያ ክልል ውስጥ ሲሰራ፣ እነዚህን ሁኔታዎች ለመፍታት ሁለት ፅንሰ-ሀሳቦች አሉ፡- ወይም የባክ እና የማሳደጊያ ደረጃዎች በተመሳሳይ ጊዜ ንቁ ናቸው ወይም የመቀያየር ዑደቶች በባክ መካከል ይቀያየራሉ። እና ደረጃዎችን ከፍ ማድረግ፣ እያንዳንዳቸው አብዛኛውን ጊዜ በተለመደው የመቀያየር ድግግሞሽ በግማሽ ይሰራሉ።ሁለተኛው ፅንሰ-ሀሳብ በውጤቱ ላይ ንዑስ-ሃርሞኒክ ጫጫታ ሊያመጣ ይችላል ፣ የውጤት ቮልቴጁ ትክክለኛነት ከመደበኛው ባክ ወይም የማሳደጊያ አሠራር ጋር ሲነፃፀር ትክክለኛ ሊሆን ይችላል ፣ ግን ቀያሪው ከመጀመሪያው ፅንሰ-ሀሳብ ጋር ሲነፃፀር የበለጠ ቀልጣፋ ይሆናል።