የኤሌክትሮኒክስ አካላት IC ቺፕስ የተቀናጁ ወረዳዎች IC TPS74701QDRCRQ1 አንድ ቦታ ይግዙ

በ wafers እና በቺፕስ መካከል ያለው ግንኙነት

የ wafers አጠቃላይ እይታ

በ wafers እና በቺፕስ መካከል ያለውን ግንኙነት ለመረዳት የሚከተለው የዋፈር እና ቺፕ እውቀት ዋና ዋና ነገሮች አጠቃላይ እይታ ነው።

(i) ዋፈር ምንድን ነው?

Wafers ሲሊከን ሴሚኮንዳክተር የተቀናጀ ወረዳዎች ምርት ውስጥ ጥቅም ላይ ሲሊከን wafers ናቸው, ምክንያቱም ክብ ቅርጽ wafers ተብለው ናቸው;የተለያዩ የወረዳ ክፍሎችን ለመመስረት በሲሊኮን ዋይፍ ላይ ሊሠሩ እና ከተወሰኑ የኤሌክትሪክ ተግባራት ጋር የተዋሃዱ የወረዳ ምርቶች ሊሆኑ ይችላሉ።የዋፈር ጥሬ ዕቃው ሲሊኮን ነው፣ እና በምድር ሽፋኑ ላይ የማይጠፋ የሲሊኮን ዳይኦክሳይድ አቅርቦት አለ።የሲሊኮን ዳይኦክሳይድ ማዕድን በኤሌክትሪክ ቅስት ምድጃዎች ውስጥ ተጣርቶ በክሎሪን በሃይድሮክሎሪክ አሲድ እና በ 99.9999999999999% ንፅህና ያለው ከፍተኛ ንፅህና ፖሊሲሊኮን ለማምረት ይጣራል።

(ii) ለዋፋዎች መሰረታዊ ጥሬ ዕቃዎች

ሲሊከን ከኳርትዝ አሸዋ የጠራ ሲሆን ዋፍሮች ከሲሊኮን ንጥረ ነገር ይጸዳሉ (99.999%) ፣ ከዚያ በኋላ ለተቀናጁ ወረዳዎች የኳርትዝ ሴሚኮንዳክተሮች ቁሳቁስ የሚሆኑ የሲሊኮን ዘንጎች ይሆናሉ ።

(iii) Wafer የማምረት ሂደት

ሴሚኮንዳክተር ቺፖችን ለማምረት ዋፍሮች መሰረታዊ ነገሮች ናቸው።ለሴሚኮንዳክተር የተዋሃዱ ሰርኮች በጣም አስፈላጊው ጥሬ ዕቃ ሲሊኮን ነው እና ስለዚህ ከሲሊኮን ዋይፋዎች ጋር ይዛመዳል።

ሲሊኮን በተፈጥሮ ውስጥ በሲሊኮን ወይም በሲሊኮን ዳይኦክሳይድ መልክ በድንጋይ እና በጠጠር ውስጥ በብዛት ይገኛል.የሲሊኮን ዌፈርዎችን ማምረት በሶስት መሰረታዊ ደረጃዎች ሊጠቃለል ይችላል-የሲሊኮን ማጣሪያ እና ማጥራት, ነጠላ ክሪስታል የሲሊኮን እድገት እና የ wafer መፈጠር.

የመጀመሪያው የሲሊኮን ማጥራት ሲሆን የአሸዋ እና የጠጠር ጥሬ እቃዎች በ 2000 ዲግሪ ሴንቲግሬድ የሙቀት መጠን እና በካርቦን ምንጭ ውስጥ ወደ ኤሌክትሪክ ቅስት እቶን ውስጥ ይቀመጣሉ.በከፍተኛ ሙቀት ውስጥ ካርቦን እና ሲሊከን ዳይኦክሳይድ በአሸዋ እና በጠጠር ውስጥ ኬሚካላዊ ምላሽ (ካርቦን ከኦክሲጅን ጋር በማጣመር, ሲሊከን ትቶ) ንጹሕ ሲሊከን ለማግኘት ገደማ 98% ንጹሕ ሲሊከን ለማግኘት, ደግሞ የብረት ደረጃ ሲሊከን በመባል ይታወቃል, አይደለም. ለማይክሮ ኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች በቂ ንፁህ ነው ምክንያቱም የሴሚኮንዳክተር እቃዎች የኤሌክትሪክ ባህሪያት ለቆሻሻ ማጠራቀሚያዎች በጣም ስሜታዊ ናቸው.የብረታ ብረት ደረጃ ሲሊከን ስለዚህ የበለጠ ይጸዳል-የተቀጠቀጠው የብረታ ብረት ደረጃ ሲሊኮን በክሎሪን ምላሽ ከጋዝ ሃይድሮጂን ክሎራይድ ጋር ፈሳሽ ሳይላይን ለማምረት ይገደዳል ፣ ከዚያም ተጣርቶ በኬሚካላዊ ይዘት ይቀንሳል እና በ 99.9999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999 %፣ ይህም የኤሌክትሮኒክ ደረጃ ሲሊከን ይሆናል።

ቀጥሎ የሚመጣው monocrystalline silicon growth, በጣም የተለመደው ዘዴ ቀጥተኛ መጎተት (CZ method) ይባላል.ከታች ባለው ሥዕላዊ መግለጫ ላይ እንደሚታየው ከፍተኛ ንፅህና ያለው ፖሊሲሊኮን በኳርትዝ ​​ክሬዲት ውስጥ ተቀምጦ ያለማቋረጥ ከግራፋይት ማሞቂያ ጋር በማሞቅ በውጭው ዙሪያ በማሞቅ የሙቀት መጠኑን በግምት 1400 ° ሴ.በእቶኑ ውስጥ ያለው ጋዝ ብዙውን ጊዜ የማይነቃነቅ ነው, ይህም ፖሊሲሊኮን የማይፈለጉ ኬሚካዊ ግብረመልሶችን ሳይፈጥር እንዲቀልጥ ያስችለዋል.ነጠላ ክሪስታሎች ለመመስረት የክርስቶሶች አቅጣጫም እንዲሁ ቁጥጥር ይደረግበታል-ክሩኩሉ ከፖሊሲሊኮን ማቅለጥ ጋር ይሽከረከራል ፣ የዘር ክሪስታል በውስጡ ይጠመቃል ፣ እና የስዕል ዘንግ ወደ ተቃራኒው አቅጣጫ በቀስታ እና በአቀባዊ ወደ ላይ እየጎተተ ነው ። የሲሊኮን ማቅለጥ.የቀለጠው ፖሊሲሊኮን ከዘር ክሪስታል በታች ተጣብቆ ወደ ላይ ወደ ላይ ያድጋል።