AQX IRF7416TRPBF አዲስ እና ኦሪጅናል የተቀናጀ የወረዳ ic ቺፕ IRF7416TRPBF

የምርት ባህሪያት

ሰነዶች እና ሚዲያ

የአካባቢ እና ኤክስፖርት ምደባዎች

ተጨማሪ መርጃዎች

IRF7416

ጥቅሞች
የፕላነር ሕዋስ መዋቅር ሰፊ SOA
ከስርጭት አጋሮች ለሰፊው ተገኝነት የተመቻቸ
በ JEDEC መስፈርት መሰረት የምርት ብቃት
ሲሊኮን ከ<100KHz በታች ለሚቀያየሩ መተግበሪያዎች የተመቻቸ
የኢንዱስትሪ መደበኛ የገጽታ-ተፈናቃይ ኃይል ጥቅል
በሞገድ መሸጥ የሚችል
-30V ነጠላ ፒ-ቻናል HEXFET Power MOSFET በ SO-8 ጥቅል
ጥቅሞች
RoHS የሚያከብር
ዝቅተኛ RDS (በርቷል)
ኢንዱስትሪ-መሪ ጥራት
ተለዋዋጭ ዲቪ/ዲቲ ደረጃ አሰጣጥ
ፈጣን መቀያየር
ሙሉ በሙሉ የአቫላንቼ ደረጃ ተሰጥቶታል።
175 ° ሴ የአሠራር ሙቀት
ፒ-ሰርጥ MOSFET

ትራንዚስተር

ትራንዚስተር ሀሴሚኮንዳክተር መሳሪያነበርማጉላትወይምመቀየርየኤሌክትሪክ ምልክቶች እናኃይል.ትራንዚስተር ከዘመናዊዎቹ የግንባታ ብሎኮች አንዱ ነው።ኤሌክትሮኒክስ.[1]ያቀፈ ነው።ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁስ, ብዙውን ጊዜ ቢያንስ ከሶስት ጋርተርሚናሎችከኤሌክትሮኒካዊ ዑደት ጋር ለመገናኘት.ሀቮልቴጅወይምወቅታዊበአንድ ጥንድ ትራንዚስተር ተርሚናሎች ላይ የሚተገበረው አሁኑን በሌላ ጥንድ ተርሚናሎች በኩል ይቆጣጠራል።የቁጥጥር (ውጤት) ኃይል ከመቆጣጠሪያው (ግቤት) ኃይል ከፍ ሊል ስለሚችል, ትራንዚስተር ሲግናል ማጉላት ይችላል.አንዳንድ ትራንዚስተሮች በተናጥል የታሸጉ ናቸው፣ ነገር ግን ብዙ ተጨማሪዎች ተጭነው ይገኛሉየተቀናጁ ወረዳዎች.

ኦስትሮ-ሃንጋሪኛ የፊዚክስ ሊቅ Julius Edgar Lilienfeldሀ የሚለውን ጽንሰ ሃሳብ አቅርቧልየመስክ-ውጤት ትራንዚስተርእ.ኤ.አ. በ 1926 ፣ ግን በዚያን ጊዜ በትክክል የሚሰራ መሣሪያ መገንባት አልተቻለም።[2]ለመጀመሪያ ጊዜ የሚሠራው መሣሪያ እ.ኤ.አነጥብ-እውቂያ ትራንዚስተርበ 1947 በአሜሪካ የፊዚክስ ሊቃውንት የተፈጠረጆን ባርዲንእናዋልተር ብራቴይንስር እየሰራ ሳለዊልያም ሾክሌይበቤል ላብስ.ሦስቱም በ1956 ዓ.ምበፊዚክስ የኖቤል ሽልማትለስኬታቸው.[3]በብዛት ጥቅም ላይ የዋለው ትራንዚስተር ዓይነት ነው።የብረት-ኦክሳይድ-ሴሚኮንዳክተር የመስክ-ውጤት ትራንዚስተር(MOSFET)፣ እሱም የተፈጠረው በመሀመድ አታላእናዳዎን ካህንግበቤል ላብስ በ1959 ዓ.ም.[4][5][6]ትራንዚስተሮች የኤሌክትሮኒክስ መስክ ላይ ለውጥ አደረጉ፣ እና ለአነስተኛ እና ርካሽ መንገድ ጠርጓል።ራዲዮዎች,አስሊዎች, እናኮምፒውተሮችከሌሎች ነገሮች መካከል.

አብዛኞቹ ትራንዚስተሮች በጣም ከንፁህ ነው የተሰሩት።ሲሊከን, እና አንዳንዶቹ ከጀርመን, ነገር ግን አንዳንድ ሌሎች ሴሚኮንዳክተሮች ቁሳቁሶች አንዳንድ ጊዜ ጥቅም ላይ ይውላሉ.ትራንዚስተር አንድ አይነት ቻርጅ አጓጓዥ ብቻ ነው፣ በመስክ-ተፅዕኖ ያለው ትራንዚስተር ወይም በባይፖላር መገናኛ ትራንዚስተርመሳሪያዎች.ጋር ሲነጻጸርየቫኩም ቱቦ፣ ትራንዚስተሮች በአጠቃላይ ያነሱ ናቸው እና ለመስራት አነስተኛ ኃይል ይፈልጋሉ።አንዳንድ የቫኩም ቱቦዎች ከትራንዚስተሮች ይልቅ በጣም ከፍተኛ የክወና ድግግሞሾች ወይም ከፍተኛ የክወና ቮልቴጅ ጥቅሞች አሏቸው።ብዙ አይነት ትራንዚስተሮች በበርካታ አምራቾች ደረጃውን የጠበቀ ዝርዝር መግለጫዎች ተዘጋጅተዋል.