የBOM ጥቅስ የኤሌክትሮኒክስ አካላት ሹፌር IC ቺፕ IR2103STRPBF

የምርት ባህሪያት

ሰነዶች እና ሚዲያ

የአካባቢ እና ኤክስፖርት ምደባዎች

የበር ሾፌሮች

የጌት ሾፌር ዝቅተኛ ኃይል ያለው ግብዓት ከመቆጣጠሪያ IC የሚቀበል እና ለከፍተኛ ኃይል ትራንዚስተር በር ለምሳሌ IGBT ወይም power MOSFET ከፍተኛ የአሁን ድራይቭ ግብዓት የሚያመነጭ የኃይል ማጉያ ነው።የበር ሾፌሮች በቺፕ ላይ ወይም እንደ የተለየ ሞጁል ሊቀርቡ ይችላሉ።በመሠረቱ፣ የበር ሾፌር ከአጉሊ መነፅር ጋር በማጣመር የደረጃ መቀየሪያን ያካትታል።የበር ሾፌር አይሲ በመቆጣጠሪያ ምልክቶች (ዲጂታል ወይም አናሎግ ተቆጣጣሪዎች) እና በኃይል መቀየሪያዎች (IGBTs፣ MOSFETs፣ SiC MOSFETs እና GaN HEMTs) መካከል እንደ መገናኛ ሆኖ ያገለግላል።የተቀናጀ የጌት-ሾፌር መፍትሄ የንድፍ ውስብስብነት፣ የዕድገት ጊዜ፣ የቁሳቁስ ሂሳብ (BOM) እና የቦርድ ቦታን ይቀንሳል፣ በድብቅ በተተገበሩ የጌት-ድራይቭ መፍትሄዎች ላይ አስተማማኝነትን ያሻሽላል።

ታሪክ

እ.ኤ.አ. በ 1989 ኢንተርናሽናል ሬክቲፋየር (IR) የመጀመሪያውን ሞኖሊቲክ የ HVIC በር ሾፌር ምርትን አስተዋወቀ ፣ ከፍተኛ-ቮልቴጅ የተቀናጀ የወረዳ (HVIC) ቴክኖሎጂ የባለቤትነት ማረጋገጫ እና የባለቤትነት ሞኖሊቲክ መዋቅሮችን ይጠቀማል ባይፖላር ፣ CMOS እና የጎን DMOS መሳሪያዎችን ከ 700 ቮ እና 1400 በላይ የቮልቴጅ ቮልቴጅ ጋር በማዋሃድ. V የ600 ቮ እና 1200 ቮልት የማካካሻ ቮልቴጅ ለመስራት።[2]

ይህንን የተቀላቀለ ሲግናል HVIC ቴክኖሎጂን በመጠቀም ሁለቱም ከፍተኛ የቮልቴጅ ደረጃ-ተለዋዋጭ ወረዳዎች እና ዝቅተኛ-ቮልቴጅ አናሎግ እና ዲጂታል ወረዳዎች ሊተገበሩ ይችላሉ.600 ቮ ወይም 1200 ቮልት 600 ቮ ወይም 1200 ቮልት 'መንሳፈፍ' የሚችል ከፍተኛ-ቮልቴጅ circuitry (በፖሊሲሊኮን ቀለበቶች በተሰራው 'ጉድጓድ' ውስጥ) ከቀሪው ዝቅተኛ-ቮልቴጅ ወረዳ ርቆ በሚገኝ ከፍተኛ ጎን ላይ ሃይል MOSFETs ወይም IGBTs በብዙ ታዋቂ ከመስመር ውጭ የወረዳ ቶፖሎጂዎች ውስጥ እንደ ባክ፣ የተመሳሰለ ጭማሪ፣ ግማሽ ድልድይ፣ ሙሉ ድልድይ እና ባለ ሶስት-ደረጃ።ተንሳፋፊ ማብሪያ / ማጥፊያ ያላቸው የHVIC በር ሾፌሮች ባለ ከፍተኛ ጎን፣ የግማሽ ድልድይ እና ባለ ሶስት ፎቅ ውቅረቶችን ለሚፈልጉ ቶፖሎጂዎች በጣም ተስማሚ ናቸው።[3]

ዓላማ

በተቃራኒውባይፖላር ትራንዚስተሮች, MOSFETs እስካልበራ ወይም እስካልጠፋ ድረስ የማያቋርጥ የኃይል ግብዓት አያስፈልጋቸውም።የ MOSFET ገለልተኛ በር-ኤሌክትሮድ ቅርጾች ሀcapacitor(gate capacitor)፣ MOSFET በበራ ወይም በጠፋ ቁጥር መሙላት ወይም መነሳት አለበት።አንድ ትራንዚስተር ለማብራት የተወሰነ የጌት ቮልቴጅ እንደሚያስፈልግ፣ የጌት አቅም (capacitor) ትራንዚስተሩ እንዲበራ ቢያንስ በሚፈለገው የቮልቴጅ መጠን መሞላት አለበት።በተመሳሳይ ትራንዚስተሩን ለማጥፋት ይህ ቻርጅ መበተን አለበት ማለትም የጌት ካፓሲተር መውጣት አለበት።

ትራንዚስተር ሲበራ ወይም ሲጠፋ ወዲያውኑ ከማያስተናግድ ወደ ተቆጣጣሪ ሁኔታ አይለወጥም;እና ሁለቱንም ከፍተኛ ቮልቴጅን በጊዜያዊነት ሊደግፍ እና ከፍተኛ ጅረት ሊያደርግ ይችላል.በዚህ ምክንያት የጌት ጅረት ወደ ትራንዚስተር ሲተገበር የተወሰነ የሙቀት መጠን ይፈጠራል ይህም በአንዳንድ ሁኔታዎች ትራንዚስተሩን ለማጥፋት በቂ ነው።ስለዚህ የመቀየሪያ ጊዜን በተቻለ መጠን ለማሳነስ በተቻለ መጠን አጭር ማድረግ ያስፈልጋልኪሳራ መቀየር[de].የተለመዱ የመቀያየር ጊዜዎች በማይክሮ ሰከንድ ክልል ውስጥ ናቸው።የአንድ ትራንዚስተር የመቀየሪያ ጊዜ በተገላቢጦሽ መጠን ከወቅታዊበሩን ለማስከፈል ያገለግላል.ስለዚህ, የመቀያየር ሞገዶች ብዙውን ጊዜ በበርካታ መቶዎች ውስጥ ይፈለጋሉሚሊምፐርስ፣ ወይም በክልል ውስጥ እንኳንamperes.በግምት ከ10-15V ለሚሆኑት የጌት ቮልቴጅ ብዙዋትስማብሪያ / ማጥፊያውን ለማሽከርከር ኃይል ሊያስፈልግ ይችላል።ትላልቅ ጅረቶች በከፍተኛ ድግግሞሾች ሲቀያየሩ፣ ለምሳሌ በየዲሲ-ወደ-ዲሲ መቀየሪያዎችወይም ትልቅየኤሌክትሪክ ሞተሮች, ብዙ ትራንዚስተሮች አንዳንድ ጊዜ በትይዩ ይሰጣሉ, ስለዚህም በቂ ከፍተኛ የመቀያየር ሞገድ እና የመቀያየር ኃይል ለማቅረብ.

ለትራንዚስተር የመቀየሪያ ምልክት ብዙውን ጊዜ የሚመነጨው በሎጂክ ዑደት ወይም ሀማይክሮ መቆጣጠሪያ, እሱም በተለምዶ ለጥቂት ሚሊምፐርስ የአሁኑ ጊዜ የተወሰነ የውጤት ምልክት ያቀርባል.ስለዚህ፣ በእንደዚህ አይነት ምልክት በቀጥታ የሚመራ ትራንዚስተር በጣም በዝግታ ይቀየራል፣ በተመሳሳይም ከፍተኛ የሃይል መጥፋት።በሚቀያየርበት ጊዜ የትራንዚስተሩ በር capacitor አሁኑን በፍጥነት ሊስብ ስለሚችል በሎጂክ ወረዳ ወይም በማይክሮ መቆጣጠሪያው ውስጥ የአሁኑን ከመጠን በላይ መጨመር ያስከትላል ፣ ይህም የሙቀት መጨመርን ያስከትላል ፣ ይህም ወደ ዘላቂ ጉዳት ወይም ቺፕ ሙሉ በሙሉ መጥፋት ያስከትላል።ይህ እንዳይከሰት ለመከላከል በማይክሮ መቆጣጠሪያ ውፅዓት ምልክት እና በኃይል ትራንዚስተር መካከል የበር ሾፌር ይቀርባል።

ፓምፖችን መሙላትውስጥ ብዙ ጊዜ ጥቅም ላይ ይውላሉኤች-ድልድዮችበከፍተኛ የጎን ነጂዎች ውስጥ ለደጃፍ መንዳት ከፍተኛ ጎን n-ቻናልኃይል MOSFETsእናIGBTs.እነዚህ መሳሪያዎች በጥሩ አፈፃፀማቸው ምክንያት ጥቅም ላይ ይውላሉ, ነገር ግን ከኃይል ሀዲዱ በላይ ጥቂት ቮልት የጌት ድራይቭ ቮልቴጅ ያስፈልጋቸዋል.የግማሽ ድልድይ መሃል ዝቅ ሲል የ capacitor በዲዲዮ በኩል ይሞላል ፣ እና ይህ ክፍያ በኋላ ላይ የከፍተኛው ጎን ኤፍኤቲ በርን በር ከምንጩ ወይም ከኤሚተር ፒን ቮልቴጅ በላይ ለመንዳት ይጠቅማል።ይህ ስልት በጥሩ ሁኔታ የሚሰራው ድልድዩ በመደበኛነት ከተቀየረ እና የተለየ የሃይል አቅርቦትን ለማስኬድ ያለውን ውስብስብነት ከማስወገድ እና የበለጠ ቀልጣፋ የሆኑ n-ቻናል መሳሪያዎችን ለከፍተኛ እና ዝቅተኛ ማብሪያ / ማጥፊያዎች እንዲውል የሚፈቅድ ከሆነ።