አዲስ እውነተኛ ኦሪጅናል IC አክሲዮን ኤሌክትሮኒካዊ አካላት አይሲ ቺፕ ድጋፍ BOM አገልግሎት DS90UB953TRHBRQ1

1.ለምን ሲሊከን ለ ቺፕስ?ለወደፊቱ ሊተኩት የሚችሉ ቁሳቁሶች አሉ?
ለቺፕስ ጥሬ እቃው ከሲሊኮን የተውጣጡ ቫፈርስ ነው."አሸዋ ቺፕስ ለመሥራት ጥቅም ላይ ሊውል ይችላል" የሚል የተሳሳተ ግንዛቤ አለ, ግን እንደዛ አይደለም.የአሸዋው ዋና ኬሚካላዊ ክፍል ሲሊኮን ዳይኦክሳይድ ሲሆን የመስታወት እና ዋፈር ዋና ኬሚካላዊ ክፍል ደግሞ ሲሊኮን ዳይኦክሳይድ ነው።ልዩነቱ ግን መስታወት ፖሊክሪስታሊን ሲሊከን ነው, እና አሸዋውን በከፍተኛ ሙቀት ውስጥ ማሞቅ ፖሊኪሪስታሊን ሲሊኮን ያስገኛል.በሌላ በኩል ቫፈርስ ሞኖክሪስታሊን ሲሊከን ናቸው, እና ከአሸዋ ከተሠሩ ከ polycrystalline silicon ወደ ሞኖክሪስታሊን ሲሊከን የበለጠ መለወጥ ያስፈልጋቸዋል.

በትክክል ሲሊከን ምንድን ነው እና ለምን ቺፖችን ለመሥራት ጥቅም ላይ ሊውል ይችላል, በዚህ ጽሑፍ ውስጥ አንድ በአንድ እንገልፃለን.

ልንገነዘበው የሚገባን የመጀመሪያው ነገር የሲሊኮን ቁሳቁስ በቀጥታ ወደ ቺፕ ደረጃ የሚሄድ አይደለም ፣ ሲሊኮን ከኳርትዝ አሸዋ የጠራ ነው ከሲሊኮን ንጥረ ነገር ፣ የሲሊኮን ንጥረ ነገር ፕሮቶን ቁጥር ከአሉሚኒየም አንድ ተጨማሪ ፣ ከ ፎስፈረስ ኤለመንት አንድ ያነሰ ነው። የዘመናዊ የኤሌክትሮኒክስ የኮምፒዩተር መሣሪያዎች ቁሳዊ መሠረት ብቻ ሳይሆን ከምድር ውጭ ሕይወት የሚፈልጉ ሰዎችም ሊሆኑ ከሚችሉ መሠረታዊ ነገሮች ውስጥ አንዱ ነው።ብዙውን ጊዜ, ሲሊከን ሲጸዳ እና ሲጣራ (99.999%), በሲሊኮን ዋይፋዎች ውስጥ ሊመረት ይችላል, ከዚያም በቫፈር ይቆራረጣል.ቀጭኑ ቫፈር ቺፑን የማምረት ዋጋ ይቀንሳል, ነገር ግን ለቺፕ ሂደቱ ከፍተኛ መስፈርቶች.

ሲሊከንን ወደ ዋይፋዎች ለመለወጥ ሶስት አስፈላጊ እርምጃዎች

በተለይም የሲሊኮን ወደ ዋይፋይ መቀየር በሶስት ደረጃዎች ሊከፈል ይችላል-የሲሊኮን ማጣሪያ እና ማጽዳት, ነጠላ ክሪስታል የሲሊኮን እድገት እና የ wafer መፈጠር.

በተፈጥሮ ውስጥ ሲሊኮን በአጠቃላይ በአሸዋ እና በጠጠር ውስጥ በሲሊኮን ወይም በሲሊኮን ዳይኦክሳይድ መልክ ይገኛል.ጥሬ እቃው በ 2000 ዲግሪ ሴንቲግሬድ እና በካርቦን ምንጭ ውስጥ በኤሌክትሪክ ቅስት እቶን ውስጥ ይቀመጣል, እና ከፍተኛ የሙቀት መጠን ሲሊኮን ዳይኦክሳይድን ከካርቦን ጋር ምላሽ ለመስጠት (SiO2 + 2C = Si + 2CO) የብረታ ብረት ደረጃ ሲሊኮን (ሲሊኮን) ለማግኘት ይጠቅማል. ንፅህና 98% አካባቢ።ይሁን እንጂ ይህ ንፅህና ለኤሌክትሮኒካዊ አካላት ዝግጅት በቂ አይደለም, ስለዚህ የበለጠ ማጽዳት አለበት.የተፈጨው የብረታ ብረት ደረጃ ሲሊከን በጋዝ ሃይድሮጂን ክሎራይድ በክሎሪን ተጨምቆ ፈሳሽ ሳይላን ለማምረት ተዘጋጅቶ በኬሚካላዊ መልኩ በመቀነሱ ከፍተኛ ንፅህና ያለው ፖሊሲሊኮን ከ 99.9999999999% ንፅህና ጋር እንደ ኤሌክትሮኒክ ደረጃ ሲሊከን።

ስለዚህ monocrystalline silicon ከ polycrystalline silicon እንዴት ማግኘት ይቻላል?በጣም የተለመደው ዘዴ ቀጥተኛ የመጎተት ዘዴ ነው, ፖሊሲሊኮን በኳርትዝ ​​ክሬዲት ውስጥ ይቀመጣል እና በ 1400 ዲግሪ ሴንቲግሬድ የሙቀት መጠን በከባቢ አየር ውስጥ ይሞቃል, ይህም የፖሊሲሊኮን ማቅለጥ ያመጣል.በእርግጥ ይህ ቀደም ሲል የዘር ክሪስታልን ወደ ውስጥ በማስገባት እና የስዕል ዘንግ ዘሩን ክሪስታል ወደ ተቃራኒው አቅጣጫ እንዲሸከም በማድረግ ከሲሊኮን ማቅለጥ ወደ ላይ ቀስ በቀስ እና በአቀባዊ ይጎትታል ።የ polycrystalline ሲሊከን ማቅለጥ ከዘሩ ክሪስታል በታች ይጣበቃል እና ወደ ላይ ወደ ዘር ክሪስታል ከላቲስ አቅጣጫ ያድጋል, ተስቦ ከቀዘቀዘ በኋላ ወደ አንድ ነጠላ ክሪስታል ባር ያድጋል, ልክ እንደ ውስጠኛው የዘር ክሪስታል ተመሳሳይ የሊቲክ አቅጣጫ.በመጨረሻም, ነጠላ-ክሪስታል ቫፈርዎች በጣም አስፈላጊ የሆኑትን ዊንጣዎች ለማምረት ተንበርክከው, ተቆርጠዋል, መሬት ላይ, ቻምፈርድ እና የተወለወለ ናቸው.

በተቆረጠው መጠን ላይ በመመስረት, የሲሊኮን ዋይፍሎች በ 6", 8", 12 እና 18" ሊመደቡ ይችላሉ.የዋፋው ትልቅ መጠን, ከእያንዳንዱ ዋይፋይ ብዙ ቺፖችን መቁረጥ ይቻላል, እና በእያንዳንዱ ቺፕ ዋጋ ይቀንሳል.
2.Three አስፈላጊ እርምጃዎች ሲሊከን ወደ wafers መለወጥ

በተለይም የሲሊኮን ወደ ዋይፋይ መቀየር በሶስት ደረጃዎች ሊከፈል ይችላል-የሲሊኮን ማጣሪያ እና ማጽዳት, ነጠላ ክሪስታል የሲሊኮን እድገት እና የ wafer መፈጠር.

በተፈጥሮ ውስጥ ሲሊኮን በአጠቃላይ በአሸዋ እና በጠጠር ውስጥ በሲሊኮን ወይም በሲሊኮን ዳይኦክሳይድ መልክ ይገኛል.ጥሬ እቃው በ 2000 ዲግሪ ሴንቲግሬድ እና በካርቦን ምንጭ ውስጥ በኤሌክትሪክ ቅስት እቶን ውስጥ ይቀመጣል, እና ከፍተኛ የሙቀት መጠን ሲሊኮን ዳይኦክሳይድን ከካርቦን ጋር ምላሽ ለመስጠት (SiO2 + 2C = Si + 2CO) የብረታ ብረት ደረጃ ሲሊኮን (ሲሊኮን) ለማግኘት ይጠቅማል. ንፅህና 98% ያህል።ይሁን እንጂ ይህ ንፅህና ለኤሌክትሮኒካዊ አካላት ዝግጅት በቂ አይደለም, ስለዚህ የበለጠ ማጽዳት አለበት.የተፈጨው የብረታ ብረት ደረጃ ሲሊከን በጋዝ ሃይድሮጂን ክሎራይድ በክሎሪን ተጨምቆ ፈሳሽ ሳይላን ለማምረት ተዘጋጅቶ በኬሚካላዊ መልኩ በመቀነሱ ከፍተኛ ንፅህና ያለው ፖሊሲሊኮን ከ 99.9999999999% ንፅህና ጋር እንደ ኤሌክትሮኒክ ደረጃ ሲሊከን።

ስለዚህ monocrystalline silicon ከ polycrystalline silicon እንዴት ማግኘት ይቻላል?በጣም የተለመደው ዘዴ ቀጥተኛ የመጎተት ዘዴ ነው, ፖሊሲሊኮን በኳርትዝ ​​ክሬዲት ውስጥ ይቀመጣል እና በ 1400 ዲግሪ ሴንቲግሬድ የሙቀት መጠን በከባቢ አየር ውስጥ ይሞቃል, ይህም የፖሊሲሊኮን ማቅለጥ ያመጣል.በእርግጥ ይህ ቀደም ሲል የዘር ክሪስታልን ወደ ውስጥ በማስገባት እና የስዕል ዘንግ ዘሩን ክሪስታል ወደ ተቃራኒው አቅጣጫ እንዲሸከም በማድረግ ከሲሊኮን ማቅለጥ ወደ ላይ ቀስ በቀስ እና በአቀባዊ ይጎትታል ።የ polycrystalline ሲሊከን ማቅለጥ ከዘሩ ክሪስታል በታች ይጣበቃል እና ወደ ላይ ወደ ዘር ክሪስታል ከላቲስ አቅጣጫ ያድጋል, ተስቦ ከቀዘቀዘ በኋላ ወደ አንድ ነጠላ ክሪስታል ባር ያድጋል, ልክ እንደ ውስጠኛው የዘር ክሪስታል ተመሳሳይ የሊቲክ አቅጣጫ.በመጨረሻም, ነጠላ-ክሪስታል ቫፈርዎች በጣም አስፈላጊ የሆኑትን ዊንጣዎች ለማምረት ተንበርክከው, ተቆርጠዋል, መሬት ላይ, ቻምፈርድ እና የተወለወለ ናቸው.

በተቆረጠው መጠን ላይ በመመስረት, የሲሊኮን ዋይፍሎች በ 6", 8", 12 እና 18" ሊመደቡ ይችላሉ.የዋፋው ትልቅ መጠን, ከእያንዳንዱ ዋይፋይ ብዙ ቺፖችን መቁረጥ ይቻላል, እና በእያንዳንዱ ቺፕ ዋጋ ይቀንሳል.

ቺፖችን ለመሥራት ሲሊከን በጣም ተስማሚ የሆነው ለምንድነው?

በንድፈ ሀሳብ, ሁሉም ሴሚኮንዳክተሮች እንደ ቺፕ ቁሶች ሊጠቀሙበት ይችላሉ, ነገር ግን ሲሊከን ቺፖችን ለመሥራት በጣም ተስማሚ የሆነበት ዋና ምክንያቶች የሚከተሉት ናቸው.

1, እንደ የምድር ንጥረ ነገሮች ደረጃ, በቅደም ተከተል: ኦክሲጅን > ሲሊኮን > አልሙኒየም > ብረት > ካልሲየም > ሶዲየም > ፖታሲየም ...... ሲሊኮን ሁለተኛ ደረጃ እንደያዘ ማየት ይችላል, ይዘቱ ትልቅ ነው, ይህም ደግሞ ይፈቅዳል. ቺፕ ከሞላ ጎደል የማያልቅ የጥሬ ዕቃ አቅርቦት እንዲኖር።

2, የሲሊኮን ኤለመንት ኬሚካላዊ ባህሪያት እና የቁሳቁስ ባህሪያት በጣም የተረጋጉ ናቸው, የመጀመሪያው ትራንዚስተር ሴሚኮንዳክተር ቁሳቁሶችን germanium ን መጠቀም ነው, ነገር ግን የሙቀት መጠኑ ከ 75 ℃ በላይ ስለሆነ, ኮንዳክሽኑ ትልቅ ለውጥ ይሆናል, ከተገላቢጦሽ በኋላ ወደ ፒኤን መጋጠሚያ ይሠራል. ከሲሊኮን ይልቅ የጀርማኒየም ፍሰት ፍሰት ፣ ስለሆነም የሲሊኮን ንጥረ ነገር እንደ ቺፕ ቁሳቁስ መምረጥ የበለጠ ተገቢ ነው ።

3, የሲሊኮን ንጥረ ነገር የማጥራት ቴክኖሎጂ ብስለት ነው, እና ዝቅተኛ ዋጋ, በአሁኑ ጊዜ የሲሊኮን ማጽዳት 99.9999999999% ሊደርስ ይችላል.

4, የሲሊኮን ቁሳቁስ እራሱ መርዛማ እና ምንም ጉዳት የሌለው ነው, ይህ ደግሞ ለቺፕስ ማምረቻ ቁሳቁስ ሆኖ እንዲመረጥ ከሚያደርጉት አስፈላጊ ምክንያቶች አንዱ ነው.